irfbe30是什么晶体管

IRFBE30是一种 场效应MOS管（Field Effect Transistor, FET）。它由深圳市壹芯微科技有限公司提供，具有以下参数：

PD最大耗散功率：125W

ID最大漏源电流：4.1A

V（BR）DSS漏源击穿电压：800V

RDS（ON）内阻：3Ω

VRDS（ON）ld通态电流：2.5A

VRDS（ON）栅极电压：10V

VGS（th）V开启电压：2~4V

这些参数使得IRFBE30适用于需要高功率、高耐压和低导通电阻的应用场景。